英特爾正在積極投入先進(jìn)制程研發(fā)，也同步強(qiáng)化其先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，目前正在馬來(lái)西亞檳城興建最新的封裝廠，強(qiáng)化 2.5D / 3D 封裝布局版圖。

　　該公司表示，規(guī)劃到 2025 年時(shí)，其 3D Foveros 封裝的產(chǎn)能將增加四倍。英特爾副總裁 Robin Martin 今日在檳城受訪時(shí)透露，未來(lái)檳城新廠將會(huì)成為該公司最大的 3D 先進(jìn)封裝據(jù)點(diǎn)。

　　2021 年，英特爾宣布將投資 71 億美元(IT之家備注：當(dāng)前約 517.59 億元人民幣)在檳城峇六拜建造一家由英特爾運(yùn)營(yíng)的全新領(lǐng)先半導(dǎo)體封裝工廠。

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　　根據(jù)英特爾的說(shuō)法，作為處理器和主板之間的物理接口，芯片的封裝對(duì)產(chǎn)品級(jí)性能有著至關(guān)重要的作用。先進(jìn)的封裝技術(shù)便于各種各樣的計(jì)算引擎實(shí)現(xiàn)跨多進(jìn)程技術(shù)集成，并有助于在系統(tǒng)架構(gòu)中采用全新方法。

　　據(jù)介紹，英特爾的 Foveros 封裝技術(shù)采用 3D 堆棧來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯對(duì)邏輯的集成，為設(shè)計(jì)人員提供了極大的靈活性，從而在新設(shè)備外形要素中混搭使用技術(shù) IP 塊與各種內(nèi)存和輸入 / 輸出元素。產(chǎn)品可以分成更小的小芯片 (chiplet) 或塊 (tile)，其中 I / O、SRAM 和電源傳輸電路在基礎(chǔ)芯片中制造，高性能邏輯小芯片或塊堆疊在頂部。

　　除此之外，英特爾的全新封裝功能正在解鎖新的設(shè)計(jì)，通過(guò)將 EMIB 和 Foveros 技術(shù)相結(jié)合，允許不同的小芯片和塊互連，性能基本上相當(dāng)于單個(gè)芯片。憑借 Foveros Omni，英特爾稱設(shè)計(jì)人員利用封裝中的小芯片或塊可獲得更大的通信靈活性。
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