據(jù)韓聯(lián)社，消息人士稱(chēng)三星計(jì)劃在 6 月最后一周宣布量產(chǎn) 3nm 工藝的消息，屆時(shí)三星將會(huì)成為全球第一個(gè)量產(chǎn) 3nm 工藝的半導(dǎo)體廠商。臺(tái)積電的 3nm 計(jì)劃是 2022 年下半年量產(chǎn)

　　當(dāng)然，兩家公司都在全力推進(jìn) 3nm 工藝的量產(chǎn)，兩家公司是都計(jì)劃在今年量產(chǎn)。

　　而韓國(guó)媒體根據(jù)最新的消息報(bào)道稱(chēng)，三星電子有望在下周宣布 3nm 制程制程工藝的量產(chǎn)事宜。

　　如果三星電子真如外媒報(bào)道的那樣，在下周宣布 3nm 工藝量產(chǎn)，他們?cè)谶@一制程工藝上，就將先于臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。臺(tái)積電的 3nm 工藝在去年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，正按計(jì)劃推進(jìn)在今年下半年量產(chǎn)。

　　在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 3nm 制程工藝方面，三星電子和臺(tái)積電的技術(shù)路線并不相同，三星電子率先采用全環(huán)繞柵極晶體管，臺(tái)積電則是繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。

　　外媒在報(bào)道中提到，三星電子此前曾表示，采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的 3nm 制程工藝，同當(dāng)前的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)相比，性能將提升 30%，能耗降低 50%，邏輯面積效率提升超過(guò) 45%。

　　三星電子的 3nm 制程工藝有望先于臺(tái)積電量產(chǎn)，在 5 月初也曾出現(xiàn)過(guò)。當(dāng)時(shí)就有外媒在報(bào)道中表示，三星在推進(jìn) 3nm 工藝在二季度量產(chǎn)，如果能順利實(shí)現(xiàn)，就將先于臺(tái)積電量產(chǎn)。而二季度到下周四就將結(jié)束，如果三星電子要在二季度量產(chǎn)，就需要在下周四之前量產(chǎn)。
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